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arrhenius htol 文章 最新資訊

了解你的安全應(yīng)用說明(第一部分):失效率

  • 失效率(或稱基準失效率)指單位時間內(nèi)的故障次數(shù),其常用單位為故障數(shù) / 十億小時(FIT),即十億小時內(nèi)出現(xiàn)一次故障,該指標用于衡量產(chǎn)品在使用壽命內(nèi)的故障概率。圖 1 為電子元器件的可靠性浴盆曲線模型,該曲線分為三個階段:早期失效(又稱早期損耗失效)階段、使用壽命(又稱恒定失效 / 隨機失效)階段、耗損失效階段。本文的討論重點為元器件使用壽命階段的失效率。1. 顯示為可靠性浴缸曲線。了解電子系統(tǒng)中元件的失效率對于進行可靠性預(yù)測以評估整體系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要。可靠性預(yù)測涉及指定可靠性模型、應(yīng)假設(shè)的失效模式、診
  • 關(guān)鍵字: 失效率  集成電路  預(yù)測技術(shù)  Arrhenius HTOL  SN 29500  IEC 62380  

新型功率器件的老化特性:HTOL高溫工況老化測試

  • _____隨著技術(shù)的不斷進步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)象,導(dǎo)致性能退化。如何在短時間內(nèi)準確評估這些器件的老化特性,成為行業(yè)關(guān)注的焦點。目前,針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試方式。其中,JEDEC制定的老化測試標準(如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環(huán)測試)主要針對傳統(tǒng)的硅基功率器件。對于新型的SiC等功率器件,AQG-324標準進一步要求增加動態(tài)老化測試,如動態(tài)柵偏和動態(tài)反偏測試。
  • 關(guān)鍵字: 功率器件  老化特性  HTOL  高溫工況  老化測試  

電子元件老化——電阻和運算放大器的老化效應(yīng)

  • 使用溫度計算和Arrhenius方程了解電阻器和放大器的老化行為,以了解電阻器漂移、電阻器穩(wěn)定性和運算放大器漂移。之前,我們討論了使用相對較短的測試時間來評估電子元件長期穩(wěn)定性的高溫加速老化方法。在本文中,我們將繼續(xù)討論并研究電阻器和放大器的老化行為。老化預(yù)測——老化引起的電阻漂移首先,讓我們記住電阻器的值會隨著時間而變化。在許多電路中,只需要總的精度,電阻器老化可能不是一個嚴重的問題。然而,某些精密應(yīng)用需要在指定壽命內(nèi)長期漂移低至百萬分之幾的電阻器。因此,開發(fā)具有足夠精度的老化預(yù)測模型以確保所采用的精密
  • 關(guān)鍵字: 電子元件老化,電阻,運算放大器,老化效應(yīng),Arrhenius  

基于Arrhenius模型快速評價功率VDMOS可靠性

  • 0 引言  垂直導(dǎo)電雙擴散場(VDMOS)效應(yīng)晶體管是新一代集成化半導(dǎo)體電力器件的代表[1]。與功率晶體管相比,具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開關(guān)速度快、驅(qū)動電流小、動態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點。因此VDMOS廣泛應(yīng)用在
  • 關(guān)鍵字: Arrhenius  VDMOS  模型  可靠性    
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